硅锗 Silicon-germanium
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硅锗（英语：Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依硅和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作集成电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS晶体管中的应变感应层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合信号集成电路和模拟集成电路的设计与生产多了一项选择。
| 单词 | Silicon germanide |
| 释义 |
Silicon germanide
中文百科
硅锗 Silicon-germanium（重定向自Silicon germanide）
硅锗（英语：Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依硅和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作集成电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS晶体管中的应变感应层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合信号集成电路和模拟集成电路的设计与生产多了一项选择。
英语百科
Silicon-germanium 矽锗（重定向自Silicon germanide）
SiGe (/ˈsɪɡiː/ or /ˈsaɪdʒiː/), or silicon-germanium, is an alloy with any molar ratio of silicon and germanium, i.e. with a molecular formula of the form Si1−xGex. It is commonly used as a semiconductor material in integrated circuits (ICs) for heterojunction bipolar transistors or as a strain-inducing layer for CMOS transistors. IBM introduced the technology into mainstream manufacturing in 1989. This relatively new technology offers opportunities in mixed-signal circuit and analog circuit IC design and manufacture. |
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