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单词 inp-
释义

inp-

  • 网络磷化铟(Indium Phosphide);铟磷;脉冲噪声的保护(Impulse Noise Protection)
1.
磷化铟(Indium Phosphide)
...产品皆自行研发的安捷伦(Agilent),利用新的磷化铟(InP)材料与制程技术,突破现有矽锗(SiGe)处理器仅可达到 16GHz的频 …
blog.yam.com
2.
铟磷
铟磷(InP)  砷化镓(GaAs) 锂酸锯(LN) 锂酸钽(LT)参展产品  1、 负膨胀陶瓷基板 CERSAT (Negative thermal expansion ceramic …
www.cn99.com
3.
脉冲噪声的保护(Impulse Noise Protection)
在增强视频业务体验方面,采用可控组播和INPImpulse Noise Protection)技术改善业务管理和用户体验。 在安全方面,从 …
fiber.ofweek.com
4.
磷化铟靶材
...他陶瓷靶材,掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化铟靶材InP),砷化铅靶材(PbAs),砷化铟靶材(InAs)。
baike.baidu.com
5.
输入文件
输入文件(.INP)包括了在四个方式(压裂分析方式,压裂设计方式,产能预测方式, 压裂裂缝优化方式)中的任何一个方式 …
www.docin.com
6.
磷化锢
...光电半导体材料,如半绝缘砷化嫁(SI-GaAs)、磷化锢(InP)、低温生长的砷化嫁(LT-GaAs)等。
www.psci.cn

例句

释义:
1.
The microstructures of INP latex films were characterized by IR and transmission electron microscopy (TEM).
以红外光谱、透射电子显微镜表征互穿共聚物乳胶膜的微观结构。
www.chemyq.com
2.
Edit the input file edi2adf. inp to modify the Sender and Receiver IDs as shown in Scenario 1, Figure 7.
编辑输入文件edi2adf.inp,修改Sender和ReceiverIDs,如图7中的场景1所示。
www.ibm.com
3.
Therefore , we should correct ly treat the Inp ut Hypothesis , and grasp chances to input , and improve the English teaching.
所以,有必要正确看待“输入假说”,根据实际情况抓住语言输入机会,促进英语教学。
www.51lunwen.org
4.
Design of a Tunable InP-based Long Wavelength Photodetector with Flat-top and Steep-edge Response
一种具有平顶陡边响应的InP基长波长可调谐光探测器的设计
www.ilib.cn
5.
Analysis of the Structure and Characteristic for an InP-based Micromechanical Tunable Filter
InP基微机械可调滤波器结构特性分析
www.ilib.cn
6.
InP Positron Annihilation Study of InP Irradiated by High Energy Heavy Ion
用正电子湮没方法研究高能重离子辐照半导体
www.ilib.cn
7.
Morphology of low temperature buffer layers and its influence on InP epilayer growth
InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响
www.ilib.cn
8.
INP; International Research Institute for Climate Prediction;
国际气候预测研究所;
www.sinobay.com
9.
Transient Dynamics of Excited States and Nonlinear Optical Properties of InP Nanoparticles
InP纳米颗粒的超快动力学和光学非线性
service.ilib.cn
10.
Morphology and Reflectivity Spectrum Properties of InP-infiltrated Opals
人工欧泊填充InP后的形貌和反射谱特性
www.ilib.cn
1.
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials
深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响
wulixb.iphy.ac.cn
2.
Various Melt Stoichiometry Conditions Related Defects in InP Materials
不同熔体配比InP材料中的缺陷研究
www.ilib.cn
3.
Influence of Deep Level Defects on Electrical Properties and Defect Control in Semi-Insulating InP
半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制
service.ilib.cn
4.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
wulixb.iphy.ac.cn
5.
Thermally induced Fe atom transition from substitution to interstitial in InP: influence on material property
磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响
wulixb.iphy.ac.cn
6.
The progress in the study of InP based strain induced self-assembly materials and their opto-electronic devices
InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
www.ilib.cn
7.
Influence of Growth and Annealing Conditions on Perfection of InP Single Crystals
生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响
www.ilib.cn
8.
Morphology Research on InP-infiltrated Artificial Opal Template by SEM
扫描电镜用于人工蛋白石模板中填充InP的形貌研究
www.ilib.cn
9.
Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP
掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响
www.ilib.com.cn
10.
Synthesis and Spectral Properties of InP Colloidal Quantum Dots
InP胶体量子点的合成及光谱性质
www.cjs.ac.cn
1.
Unstable Growth in InP Homoepitaxy: Mound Formation
InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成
www.ilib.cn
2.
Study On The Teaching Mode Of College English Listening And Speaking Base On INP
以INP为基础的大学英语听说教学模式研究
www.ilib.cn
3.
Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth
横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型
wulixb.iphy.ac.cn
4.
Effects of mask characteristics on InP etched- facets by using inductively coupled plasma dry etching
电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究
www.ilib.cn
5.
Generation and suppression of deep level defects in InP
中深能级缺陷的产生与抑制现象
www.ilib.cn
6.
Calculation on Molecular Orbit at Sub-internal Shell in InP
半导体InP中次内层分子轨道能级的计算
www.ilib.cn
7.
Modeling of InP-Based Capacitors and Resistors
InP衬底上电容和电阻的建模
www.ilib.cn
8.
Development and Status of InP Single Crystal
InP单晶材料现状与展望
www.ilib.cn
9.
Recent Progress in Research on Strain-compensated MQW on InP Substrates
InP基应变补偿多量子阱的研究进展
www.ilib.cn
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更新时间:2024/11/9 9:51:41