?直接带隙

发光效率与材料是否为直接带隙（Direct Bandgap）有关，图2(a)是直接带隙材料，包括GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等，这些材料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。

?接能隙

依能带结构可分为: 间接能隙(Direct Bandgap):矽(Si),锗(Ge). 直接能隙(Indirect Bandgap):砷化镓(.

?否为直接带隙

??? 发光效率与材料是否为直接带隙（Direct Bandgap）有关，图2(a)是直接带隙材料，包括GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等，这些材料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。