英语词汇drie怎么读，是什么意思，单词翻译、读音、固定搭配用法和短语词组及例句-英汉双解词典

单词

drie

释义

drie

简明释义

v.<旧>忍受，遭受

网络释义

1
?深反应离子刻蚀
深反应离子刻蚀（DRIE）是一个很好的例子，DRIE通过精密刻蚀硅材料，严格控制深度、宽高比及侧壁轮廓来实现3D结构。
2
?深反应离子蚀刻
可以采用光刻术和蚀刻技术形成下部的多种部件(例如流体储存器、射流通道和泵)。例如，采用模具作为深反应离子蚀刻(DRIE)的蚀刻掩模以形成所述部件。还可以采用标准模制或加工技术形成下部。
3
?深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching)
... a light beam is deflected from one optical fiber into another perpen- dicular optical fiber deep reactive ion etching (DRIE): an etching process that allows for very high-aspect-ratio etching of silicon 1 electromagnetic actuation: the movement...

短语

1
irtual Drie
虚拟光驱 ; 虚拟光碟
2
DRIE SCREWS
旋入螺晋
3
Azotin Drie meal
干肉粉

双语例句

1
Emerging 3d interconnection technologies and high volume MEMS applications require cost effective mass production DRIE systems.
新兴的3d互联技术以及高产量的MEMS应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。
2
This accelerometer is fabricated by N type silicon wafer. To obtain high aspect ratio structure, deep reactive ion etching(DRIE) process is employed.
加速度计用普通的N型硅片制造，为了刻蚀高深宽比的结构，使用了深反应离子刻蚀（DRIE）工艺。
3
By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches' opening, the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids.
采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞。

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单词	drie
释义	drie 简明释义 v.<旧>忍受，遭受网络释义 1 ?深反应离子刻蚀深反应离子刻蚀（DRIE）是一个很好的例子，DRIE通过精密刻蚀硅材料，严格控制深度、宽高比及侧壁轮廓来实现3D结构。 2 ?深反应离子蚀刻可以采用光刻术和蚀刻技术形成下部的多种部件(例如流体储存器、射流通道和泵)。例如，采用模具作为深反应离子蚀刻(DRIE)的蚀刻掩模以形成所述部件。还可以采用标准模制或加工技术形成下部。 3 ?深层离子蚀刻技术(Deep Reactive Ion Etching) ... a light beam is deflected from one optical fiber into another perpen- dicular optical fiber deep reactive ion etching (DRIE): an etching process that allows for very high-aspect-ratio etching of silicon 1 electromagnetic actuation: the movement... 短语 1 irtual Drie 虚拟光驱 ; 虚拟光碟 2 DRIE SCREWS 旋入螺晋 3 Azotin Drie meal 干肉粉双语例句 1 Emerging 3d interconnection technologies and high volume MEMS applications require cost effective mass production DRIE systems. 新兴的3d互联技术以及高产量的MEMS应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统。 2 This accelerometer is fabricated by N type silicon wafer. To obtain high aspect ratio structure, deep reactive ion etching(DRIE) process is employed. 加速度计用普通的N型硅片制造，为了刻蚀高深宽比的结构，使用了深反应离子刻蚀（DRIE）工艺。 3 By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches' opening, the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids. 采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽，并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正，制造了具有理想侧壁形状的深槽，利于介质的完全填充，避免产生空洞。
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