?半导体

...第二NMOS晶体管(128)，其具有耦合到电力共用的源极及耦合所述第一NMOS晶体管(142)的源极的漏极；第一P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(126)，其具有耦合到所述集成电路信号垫及所述第二NMOS晶体管(128)的所述漏极的漏极；第二PMOS晶体管(124)，其具有耦合到所...

?沟道金属氧化物半导体

电路区204包括各种晶体管，例如N沟道金属氧化物半导体(NMOS)或P沟道金属氧化物半导体(PMOS)，电阻、电容、电感等无源器件，以及它们之间的金属互联线。

?材料

前言周期性介孔氧化硅材料(PMOs)是以结构为(EtO)3Si-R-Si(OEt)3的倍半硅氧烷(silsesquioxane)作为有机硅前躯体而合成的骨架内含有有机桥联基团的新型介孔材料。