英语词汇field oxide怎么读，是什么意思，单词翻译、读音、固定搭配用法和短语词组及例句-英汉双解词典

单词

field oxide

释义

field oxide

简明释义

场氧化层：一种在半导体器件上形成的绝缘层，通常用于隔离不同的器件区域。

网络释义

1
[电子]?场氧化层
...—  热氧化层中重要的薄膜层有  闸极氧化层(gate oxide): 介于汲极与源极间上方，连接汲极与源极  场氧化层(field oxide): 作为各元件间隔离之用 N-Silicon p + p + Gate Oxide Field Oxide 13 半导体制程氧化与薄膜沉积热氧化层—  热氧化层由热...
2
?氧化层
金属线因为中间没有 氧化层 ( Field oxide ) ，整块金属线会形成盘狀 (Dishing) ，使得阻值相对变大，甚至会造成断线，所以，为了防
3
?场氧化物
...所述P型衬底中作为所述静电放电装置的一部分；至少一第一N+区域，其形成于所述N井外部，所述第一N+区域由场氧化物(field oxide)与所述N井及其内的区域、以及所述P型衬底中的其它掺杂区域绝缘；至少一第一P+区域，其形成于所述N井外部，所述第一P+区域由场氧...

短语

1
field oxide isolator
场氧化绝缘层
2
field oxide region
场氧化区
3
field oxide implantation
场氧化层离子注入

双语例句

1
A related layer is the field oxide, which provides isolation from other device structures.
一个相关层是场氧化层，使其与其它器件结构分离。
2
The intention of the polysilicon tiles is to reduce erosion of the field oxide between closely spaced active regions.
所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。
3
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。

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单词	field oxide
释义	field oxide 简明释义场氧化层：一种在半导体器件上形成的绝缘层，通常用于隔离不同的器件区域。网络释义 1 [电子]?场氧化层 ...—  热氧化层中重要的薄膜层有  闸极氧化层(gate oxide): 介于汲极与源极间上方，连接汲极与源极  场氧化层(field oxide): 作为各元件间隔离之用 N-Silicon p + p + Gate Oxide Field Oxide 13 半导体制程氧化与薄膜沉积热氧化层—  热氧化层由热... 2 ?氧化层金属线因为中间没有氧化层 ( Field oxide ) ，整块金属线会形成盘狀 (Dishing) ，使得阻值相对变大，甚至会造成断线，所以，为了防 3 ?场氧化物 ...所述P型衬底中作为所述静电放电装置的一部分；至少一第一N+区域，其形成于所述N井外部，所述第一N+区域由场氧化物(field oxide)与所述N井及其内的区域、以及所述P型衬底中的其它掺杂区域绝缘；至少一第一P+区域，其形成于所述N井外部，所述第一P+区域由场氧... 短语 1 field oxide isolator 场氧化绝缘层 2 field oxide region 场氧化区 3 field oxide implantation 场氧化层离子注入双语例句 1 A related layer is the field oxide, which provides isolation from other device structures. 一个相关层是场氧化层，使其与其它器件结构分离。 2 The intention of the polysilicon tiles is to reduce erosion of the field oxide between closely spaced active regions. 所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。 3 The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET. 在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
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