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LDD ultra shallow junction can be reachec by low energy and high dose implant.
可以通过低能量,高剂量的等离子注入来实现LDD超浅结(ultrashallowjunction).
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In this thesis, the requirement of shallow junction devices to implantation precision is reviewed.
本论文重温超浅结器件对注入精度的要求.
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