The half - bridge inverter circuit is used IGBT as switch with the advantages of MOSFET and GTR.

主电路使用集MOSFET和GTR的 优点于一身的IGBT作为开关管,构成半桥逆变电路.

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This paper describes a simply constricted and high performence GTR drive circuit for 200 A 、800 VGTR.

本文介绍了一结构简单、性能良好的GTR驱动 电路,该电路可驱动200A, 800V的功率晶体管.

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