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The breakdown characteristics of N thin gate oxide are investigated.
研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性.
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At the sub 90 nm technology node, the gate oxide thickness is expected to be 12 - 15 Angstrom.
当半导体结点技术发展到小于90纳米时, 栅氧化层厚度将减薄至12到15埃.
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