epitaxially

网络释义

1.	镍箔片上成长磊晶於850 和750 ℃下，利用水平炉管结合气相沉积之一次反应步骤，於镍箔片上成长磊晶 (epitaxially) 之Ni2Si和Ni31Si12 薄膜。 … nthur.lib.nthu.edu.tw

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