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单词 poly-si
释义

poly-si

  • 网络多晶硅;多晶矽;低温多晶矽
1.
多晶硅
多晶硅薄膜晶体管也就是采用多晶硅poly-Si)作为有源层的一种TFT。器件的结构与a-Si∶H TFT类似,如图所示。
blog.163.com
2.
多晶矽
由于多晶矽Poly-Si)的电子迁移率约为非晶矽的100倍,面板像素反应时间比非晶矽快10倍;且低温多晶矽的开口率较高, …
lcd.zol.com.cn
3.
低温多晶矽
...),几乎都是所谓的「非晶矽(a-Si)」TFT;「低温多晶矽((Poly-Si)」TFT则是刚刚窜起的新秀,其显示画面的速度快、 …
www.coema.org.cn
4.
复晶矽
若用复晶矽poly-Si)来取代a-Si ,则可解决上述各问题,并提供再结晶制程良好的稳定度,使得显示驱动系统(driver system) …
www.mse.nctu.edu.tw
5.
多结晶矽
        驱动方式     多结晶矽(Poly-Si)TFT主动矩阵式         画面比例     4:3         画素数      1,440,000 (800x600x3)     ...
www.fengniao.com
6.
多晶矽原料
尤其近来结晶矽太阳能电池在上游多晶矽原料(Poly-Si)持续缺货的情形之下,促使市场新进业者纷纷压宝投入薄膜太阳能电池领 …
tw.myblog.yahoo.com
7.
国际多晶硅
国际多晶硅Poly-Si)大厂日本德山(Tokuyama)宣布,将建立 1 座多晶硅新厂,采用西门子制程技术量产,初期产能每年 …
blog.sina.com.cn
8.
多晶硅薄膜
2.多晶硅薄膜poly-Si)。多晶硅薄膜工艺主要分为两大类:(1)高温工艺,指整个加工过程中温度高于900℃。
www.zesunmarine.com

例句

释义:
1.
NTBI induced device degradation can be suppressed by a SiN capping layer between Poly-Si gate and high k dielectric layer.
在闸极与高介电常数介电层间使用氮化矽可有效抑制负偏压温度不稳定性的现象。
www.showxiu.com
2.
How to achieve good texturing process of poly-Si is the focus in poly-Si solar cells field.
如何获得好的表面织构化工艺是目前多晶硅太阳电池研究的重点。
www.showxiu.com
3.
Preparation and Microstructure Analyses of Poly-Si Thin Films by Aluminum-induced Crystallization
铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究
ilib.cn
4.
Quantum State of Poly-Si Films at Middle Temperature on Glass Substrate
玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象
service.ilib.cn
5.
Influence of lithography before or after crystallization of active layer on the properties of poly-Si TFT
晶化前后有源层的刻蚀对
www.ilib.cn
6.
Preparation techniques and applications of high-quality poly-Si films at low temperature
低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用
service.ilib.cn
7.
Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated Using Novel Two-Step Laser Crystallization
两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管
www.ilib.cn
8.
Surface Passivation of Poly-Si Thin Film Transistors Using Nitride Plasma
多晶硅薄膜晶体管的表面氮钝化技术
service.ilib.cn
9.
Progress in the Research of Poly-Si Film for TFT Prepared by Excimer-Laser Crystallization
准分子激光晶化制备TFT多晶硅薄膜的研究进展
service.ilib.cn
10.
Very High Speed Poly-Si Emitter Bipolar Transistor and Circuit
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路
www.ilib.cn
1.
Progress on the Fabricated Technique of Poly-Si Films
多晶硅薄膜制备技术的研究进展
www.ilib.cn
2.
Effect of Technical Condition in RTCVD on Deposed Poly-Si Thin-Film
快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响
www.ilib.cn
3.
a gate insulating layer deposited on said poly-Si layer;
沉积在所述多晶硅层上的栅极绝缘层;
www.bing.com
4.
Effect of Ar on the Etching of Poly-Si
氩气对多晶硅刻蚀的影响
www.ilib.cn
5.
Fig. 2 SEM morphography of poly-Si texture
图2多晶硅的表面织构扫描电镜图
wenku.baidu.com
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更新时间:2025/1/14 6:21:59