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HEMT

释义

HEMT

网络高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)；高电子迁移率电晶体；高电子迁移率管

网络释义

1.	高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor) 其中高电子迁移率晶体管(HEMT)的低噪声性能比场效应管更优越，运用这种器件设计成低噪声放大器，在C 波段噪声温度可达… www.docin.com
2.	高电子迁移率电晶体采用0.15微米高电子迁移率电晶体(HEMT)制程制造的SHM面积为1.3mm2，其输出为5至6GHz的IF讯号，变频增益大约为2dB … www.eettaiwan.com
3.	高电子迁移率管高电子迁移率管（HEMT）和赝配高电子迁移率管（PHEMT）都是由场金属半导体场效应管演化发展而来。当栅极电压为零 … www.docin.com

4.	高迁移率晶体管 ? 可以以来制造高迁移率晶体管(HEMT)和2维电子气场效应管（TEGFET）。无限深一维方势阱 ? 薛定格方程 h 2 ? 2ψ ( x wenku.baidu.com
5.	高电子迁移率场效应晶体管在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。 baike.baidu.com
6.	率电晶体(High Electron Mobility Transistors) 在本篇论文中，为了改善传统高电子移动率电晶体 (HEMT)闸极电压摆幅太小的问题，我们采用了以磷化铟为基板并具有反向渐 … fedetd.mis.nsysu.edu.tw

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高电子迁移率电晶体,高电子迁移率管

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更新时间：2025/8/7 23:00:43