?铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory)
...非易失性存储器装置300的操作的控制信号,例如,命令、地址、控制时钟信号等等,并且向非易失性存储器装置300提供生成的控制信号。数据存储装置100可包括非易失性存储器装置300。非易失性存储器装置300可操作为数据存储装置100的存储媒介。非易失性存储器装置300可由诸如以下的各种类型的非易失性存储器装置的任何一种配置:NAND闪速存储器装置、NOR闪速存储器装置、使用铁电电容的铁电随机存取存储器(FRAM)、使用遂穿磁阻(TMR)层的磁性随机存取存储器(MRAM)、使用硫族化物合金的相变随机存取存储器(PCRAM)和使用过渡金属氧化物的电阻式...