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单词 EUV lithography
释义
EUV lithography
  • 简明释义
  • 极紫外光刻:一种用于半导体制造的先进光刻技术,利用极紫外光(波长约为13.5纳米)进行曝光。
  • 网络释义
  • 1

    ?紫外光微影

    「透过结盟,包括high-k金属闸极、深紫外光微影(EUV lithography)、直通硅晶穿孔(through-silicon vias)等技术得以问世,且由于定向研究(targeted research),得以节省大笔研发经费,也能符合研发...

  • 2

    ?超紫外光微影技术

    值得一提的是,英特尔未来将导入超紫外光微影技术(EUV Lithography),可以提供13nm波长,大幅超前现有的微影技术。

短语
  • 双语例句
  • 1
    An EUV Lithography mask, a fabrication method, and use method thereof is provided.
    本发明提供了一种EUV光刻掩模、其制造方法与其使用方法。
  • 2
    Reflective optical elements based on multilayer coatings are have entered the practical stage that take EUV lithography and EUV astrophysics as the core.
    目前,基于极紫外多层膜的反射式光学元件,已经全面进入了以极紫外光刻与极紫外天文观测为核心的实用化阶段。
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更新时间:2025/1/24 17:08:51