?掺杂硅

...垫区形成一连接垫开口，使该垫电极暴露出来；(d)在该第一绝缘层上依序沉积一第二绝缘层、一半导体层、 一掺杂硅 ( doped silicon )导电层以及一第二金属层；(e)在该晶体管区内定义一通道区，同时去除该通道内以及该晶体管区外的第二金属层与该掺杂硅导电层，如...

?涂层硅

它包含涂层硅（doped silicon）,即参杂一些杂质。晶体管是绝对对称的，即电流可以从源极留向漏极，也可以从漏极流向源极。