?之去离子水

半导体的清洗方法 以形成一闸极结构，其中该第二氧化硅层系作为该闸间介电 层之用； 使用一含有臭氧(Ozonated)之去离子水(De-Ionized，DI) 清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆； 更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧的去离 子水清洗的

?去离子水

SST-AP China 的位置之间转换，这样有几个因素会影响静电荷的积累。 由于去离子水的纯度很高同时其中没有溶解的离子，大部分划片操作都使用去离子水（de-ionized, DI）作为冷却剂，。 然而，缺乏离子会导致水的电导率降低，并且无法使静电荷远离进行划片的基板。 对于高