?边发光二极管

本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。

?纠缠发光二极管

这种被称为“纠缠发光二极管”（ELED）的器件要比由激光驱动的发光二极管简单得多，用传统半导体材料制成，是为量子信息应用开发纠缠光源的一个很有希望的起点。

?纠缠态发光二极管(Entangled Light Emitting Diode)

量子计算机有望五年内面世_电脑常识_361电脑维护网 需要花上几年时间解决的问题，用量子计算机的话只需几秒钟即可解决。 剑桥东芝公司研究中心的科学家说，他们研制出的纠缠态发光二极管(Entangled Light Emitting Diode，ELED)，为制造出超级强大的半导体芯片开辟了道路。 量子计算机在理论上可以为问题立即找出所有解决方案，而如

?他们研制出的纠缠态发光二极管

剑桥东芝公司研究中心的科学家说，他们研制出的纠缠态发光二极管(Entangled Light Emitting Diode，ELED)，为制造出超级强大的半导体芯片开辟了道路。