英语词汇electron tunneling怎么读，是什么意思，单词翻译、读音、固定搭配用法和短语词组及例句-英汉双解词典

单词

electron tunneling

释义

electron tunneling

简明释义

电子隧道效应
电子贯穿

网络释义

1
?电子隧道效应
... electron tunneling 电子隧道效应 ; 电子穿隧 tunneling electron 隧道电子 tunneling machine 隧道钻机 ; 岩石隧道掘进联合机 ; 隧道开挖机 ...
2
?电子地道效应
... electron tube 电子管 electron tunneling 电子地道效应 electron vacancy 电子空位 ...
3
?电子穿隧
新型的超薄闸极MOSFET对电子穿隧（Electron Tunneling）极为敏感，若要量测其电容相对于电压（CV）的特性，则量测频率必须高于数MHz。
4
?所提出电子穿隧
依据Fowler-Nordheim所提出电子穿隧 所提出电子穿隧(electron tunneling) 依据 所提出电子穿隧 原理,场发射之电流密度(J)可由下列方程式加以预测可由下列方程式加以预测: 原理,场发射之电流密度可由下...

短语

1
single electron tunneling
单电子隧道贯穿 ; 单电子透纳
2
coherent electron tunneling
相干电子隧道
3
coulomb blockade and electron tunneling
coulomb阻塞及电子隧穿

双语例句

1
It is found that the barrier width is thinned by the surface defects with high density to enhance the hot electron tunneling.
发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度，显著增强了热电子隧穿过程。
2
It is assumed that electron tunneling from silicon into oxide and buildup of interface states are the post-irradiation recovery.
假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理。
3
It shows that the bias in the post-irradiation recovery period and the ratio of the interface state to the electron tunneling influence the recovery rate.
压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率。

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单词	electron tunneling
释义	electron tunneling 简明释义电子隧道效应电子贯穿网络释义 1 ?电子隧道效应 ... electron tunneling 电子隧道效应 ; 电子穿隧 tunneling electron 隧道电子 tunneling machine 隧道钻机 ; 岩石隧道掘进联合机 ; 隧道开挖机 ... 2 ?电子地道效应 ... electron tube 电子管 electron tunneling 电子地道效应 electron vacancy 电子空位 ... 3 ?电子穿隧新型的超薄闸极MOSFET对电子穿隧（Electron Tunneling）极为敏感，若要量测其电容相对于电压（CV）的特性，则量测频率必须高于数MHz。 4 ?所提出电子穿隧依据Fowler-Nordheim所提出电子穿隧所提出电子穿隧(electron tunneling) 依据所提出电子穿隧原理,场发射之电流密度(J)可由下列方程式加以预测可由下列方程式加以预测: 原理,场发射之电流密度可由下... 短语 1 single electron tunneling 单电子隧道贯穿 ; 单电子透纳 2 coherent electron tunneling 相干电子隧道 3 coulomb blockade and electron tunneling coulomb阻塞及电子隧穿双语例句 1 It is found that the barrier width is thinned by the surface defects with high density to enhance the hot electron tunneling. 发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度，显著增强了热电子隧穿过程。 2 It is assumed that electron tunneling from silicon into oxide and buildup of interface states are the post-irradiation recovery. 假设隧道电子从硅进入氧化层和界面态的建立是辐射效应的恢复机理。 3 It shows that the bias in the post-irradiation recovery period and the ratio of the interface state to the electron tunneling influence the recovery rate. 压的大小以及隧道电子效应与建立的界面态所占比例的不同影响器件的恢复率。
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