| 释义 |
chemical mechanical polishing - 化学机械抛光：一种半导体制造过程中用于平整化表面的技术，通过化学和机械作用去除材料表面的微小凸起。
1 ?化学机械抛光 ...：在电子制造行业,随着产品性能的不断提高,对表面质量的要求越来越高。抛光是表面平整化加工的重要手段。与现有的抛光技术相比,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,简称CMP)是目前广泛采用的并且是几乎唯一的全局平面化技术。 2 ?化学机械研磨 目前，化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是达成全局平坦化的最佳方法，尤其是在半导体制作工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的制作工艺技术。 3 ?技术 化学机械抛光技术（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是目前最好的、也是唯一全局平面化技术，是超大规模集成电路成功的最为关键的技术。 4 ?研磨 2 中文摘要 化学 机械 研磨 ( Chemical Mechanical Polishing ) 是目 化学 研磨 search engine, 化学 研磨 Search, Free 化学 研磨 Ebook, PDF, TXT, DOC, TXT, PPT downloads..
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Chemical Mechanical Polishing(CMP); abrasive particle; modeling; wafer; - 2
Polishing pad conditioning is very important for chemical mechanical polishing to improve the performances of a pad. - 3
A chemical mechanical polishing pad comprising a water-insoluble matrix which comprises (a) a styrene polymer and (b) a diene polymer. 一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。
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