?化学束外延
...两者都使用的是气态源，生长过 程中也就都伴随有化学变化，至少是化学分解，所以通常又称为化学束外延（Chemical Beam Epitaxy，CBE）。
?束磊晶
...将利用超高真空化学气相沉积法(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)系统以及化学分子 束磊晶 ( Chemical Beam Epitaxy )系统成长Si/SiGe材料，包括成长Si/SiGe量子井(Quantum Well)及超晶格(Superlattice)等结构元件，并借由SIMS、X-Ray diffraction...
分子束磊晶技术
化学束外延
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