电荷阱闪光
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?电荷撷取闪存
内存技术目前受到的限制可以则运用3D结构克服，例如新的电荷撷取闪存(charge trap flash，CTF)。
?例如新的电荷撷取闪存
?在电荷撷取快闪记忆体
中国闪存市场 ron的3D Flash技术采用了可由现有CMOS制造技术及材料制造的薄膜电晶体(TFT)双闸装置。在电荷撷取快闪记忆体(Charge Trap Flash，CTF)单元中，这种架构可彻底消除串列记忆体串的通过扰乱(pass disturbs)。借由这种方法，可对最
?通过电荷撷取闪存
答案就是V-NAND，通过电荷撷取闪存（charge trap flash）技术制造的3D闪存。 三星V-NAND：不再缩小cell单元，堆叠更多层数 三星的V-NAND说起来就是不再追求缩小cell单元，而是通过3D...
电荷撷取快闪记忆体
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