?原子层外延

第一章绪论1．2．2．8原子层外延（ALE） 原子层外延（Atomic Layer Epitaxy）是一种基于MOCVD的超薄薄膜低温生长技术，反应气体可调节，交替供给原材料，并在两气体束流之间清洗反应室。

?最初称为原子层外延

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE)，是一种可以将物质以单原子层形式，一层一层的生长在基底表面的方法。

?又称原子层沉积或原子层外延

2.1原子层沉积技术简介 单原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)，又称原子层沉积或原子层外延(atomic layer epitaxy)，最初由芬兰科学家在上世纪70年代提出，多用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制。

?称为原子层外延

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)，最初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy, ALE)，是一种可以将物质以单原子层形式，一层一层的生长在基底表面的方法。