?漏源极电压
...替代的包装；系列：DeepGATE?，STripFET? VII；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；...
?漏源电压
...NDS0605-NL场效应管产品参数及功能如下： FET 类型：P 沟道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：60V0.18A 电流 - 连续漏极（Id）（25° 时）：780mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V 不同 Id，Vgs 时...
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