?功率场效应晶体管

同时现代电力电子器件工艺日臻成熟，出现了电力晶体管（GTR）门极可关断晶闸管（GTO），功率场效应晶体管（VDMOS），特别是绝缘门极晶体管（IGBT），MOS可控晶闸管（MCT）的开发成功，使PMBDCM的功率驱动电路的可靠性和稳定性得到保障，因此PMBD...

?场效应管

本专利技术的技术方案如下：一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，包括：半导体材料的衬底，兼作漏区；在衬底上外延生长形成的漂移区；在所述漂移区上表面掺杂形成的左、右两处基区；在所述基区...

?功率场效应管

论述了功率场效应管（VDMOS）在逆变焊机中的应用，结果表明，将场效应管作为功率开关器件，可使逆变弧焊电源具有整机效率高，动态响应好、控制精良等特点。

?场效应晶体管

同时现代电力电子器件 工艺日益成熟，出现了电力晶体管（VrR）、门极可关断晶闸管（Gm），功率 场效应晶体管（VDMOS），特别是绝缘栅门极晶体管（IGBn、MOS可控晶闸 管（MCn的开发成功，使无刷直流电动机的功率驱动电路的可靠性和稳定 性得到了保障...