?汽相外延
...上灯饰灯具商城 生长外延材料的实现方法有多种，其中包括液相外延(Liquid Phase Epitaxy，LPE)、汽相外延(Vapor Phase Epitaxy，VPE)、分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)和..
?气相磊晶法
... 分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy，MBE） 气相磊晶法（Vapor Phase Epitaxy，VPE） 氢化物气相磊晶法（Hydride vapor phase epitaxy，HVPE） ...
?相外延
3.2 气相外延 硅气相外延(vapor phase epitaxy，VPE )，指 含Si外延层材料的物质以气相形式输运至衬底， 在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生 长出...
?气相外延生长
...片表面就可以沉积一层新的晶体 LPE方法简单、廉价，但外延层的质量不高 IC制造工艺 ? 气相外延生长（VPE，Vapor Phase Epitaxy） VPE是在气体环境下在晶体表面进行外延生长 常用的方法是卤素传递生长法 硅片放在反应器中的石墨基座...
氢化物气相外延 ; 氢化物气相磊晶法 ; 氢化物化学气相淀积
金属有机气相外延 ; 气相外延 ; 材料金属有机气相外延 ; 相磊晶法
卤化物汽相外延
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