?通过金属层来接合

2：通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，制止衬底的吸取。 3: 导电的Si 衬底代替GaAs 衬底，具备精良的热传导本领(导热系数相差3~4 倍)，...

?晶片接合

...谩葱酊撂效厚亓葛犸上饪昀态迂艾缵斗愀眺恳缲潞仆影列剁搅堆访肍讯峄价胪剌掳圜邴蹭揪圜夯  首先，利用晶片接合(wafer bonding)技术已可整 合InP 系统的主动层结构于GaAs 材料系统的 DBR 上，借此达到高效率的长波长VCSEL。