?场效应晶体管

GaAs异质结材料制成的高电子迁移率晶体管HEMT），亦称两维电子气场效应晶体管（TEGFET）或选择掺杂 异质结晶体管（sDHT），具有超高速特性，是超高速集成电路极有发展前景的技术之一Ⅱ.

?场效应管

由于在晶体结构中存在大量可高速迁移电子，HEMT早期也被称为二维电子气场效应管（TEGFET） 。 2013-4-14《集成电路设计基础》27HEMT工艺?HEMT也属于FET的一种， 它有与MESFET相似的结构。

?二维电子气场效应管

...率管(HEMT)的应用及研制近况 一、引言 高电子迁移率晶体管(HEMT),又叫调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应管(TEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)。它包括AIGaAs/GaAS异质结双极晶体管和场效应管两类。