?转换速度

...容值增大，因此，闸极驱动器必须仔细小心地设计，此乃将传导电流至输入电容予以充电，为了增加MOSFET的转换速度(switching speed)。

?开关速度

因此，高开关速度（switching speed）的好处可在诸如CPU核心之速度关键电路中得以维持，而同时该RAM电路可以高度有效空间的方式形成。

?切换速度

通常，逻辑电路需要较薄的闸极氧化层，并能于约1.8至2.5伏特左右的操作电压下工作，以提高晶体管的切换速度(switching speed);而存储单元区和其周边电路区则需要较厚的闸极氧化层，并能于约3.0至5.0伏特左右的操作电压下工作。