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女子皮鞋上的高后跟
斯派克退火
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?峰值退火
...未反应的镍层，并进行一第二快速热工艺，以形成具有镍硅化物的半导体元件，其中上述第二快速热工艺包括一峰值退火(spike anneal)工艺，且其工艺温度介于400至600℃。
?退火技术
而加热处理过程中我们使用的尖峰退火技术（spike anneal ）则不会对ETSOI层的结构造成不必要的损害。”
?尖峰退火技术
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