?异质结双极晶体管

本项目开展基于成熟Si集成电路工艺的SiGe HBT(异质结双极晶体管)高增益、超宽带、低噪声放大器(LNA)的研究，主要包括进行基于Si工艺的LNA的稳定性和可靠性、噪声减少、增益平坦化优化设计方法研...

?锗硅异质结双极晶体管

锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）作为微波毫米波范畴中异常主要的高速固态器件，因为具有功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、单电源任务、芯单方面积小和机...

?异质结晶体管

全球对新型异质结器件的不断研究,它们异军突起,不断满足市场要求,锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)就是其中之一。

?晶体管

3.4 SiGe 基区异质结双极型晶体管 SiGe 基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe 合金特性制成的器件。自 1987 年采用MBE 技术首次制作出SiGe 基区HBT 以来，SiGe 集成电路的规模和电 路的速度不断发...