?硒化锡

硒化锡(SnSe)是一种主要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体资料,其体相资料的直接带隙年夜小为1.3eV,直接带隙年夜小为0.9eV,在太阳能电池的最优带隙值区...

?中雪网络安全工程师

中雪网络安全工程师(SNSE)实战培训-60天周末班-南京赶集网...

?硒化亚锡

该薄膜材料采用脉冲激光沉积法制备获得，硒化亚锡(SnSe)薄膜的粒子尺寸为15-50nm，晶体结构属于正交晶系。薄膜电极的比容量为681mAh/g，在反复充放电过程中呈良好的稳定性。