?硅碳氮

硅碳氮(SiCN)是一种新型的宽带隙半导体材料,光学特性优良,在光电子器件领域具有非常广阔的应用前景。

?硅碳氮化物

其次，SiCN (硅碳氮化物)标准盖层覆于其上。但这步之后，随后覆盖IBM未透露的特殊聚合物层。

?碳化硅

该单晶氮碳化矽 (SiCN) 缓冲层(buffer layer) 的晶格常数为 4.36? 小于单晶矽的 5.43?，因此在氮碳化矽 上面所成长的矽在成长面之两轴有压缩应变 (comp...

?碳氮化硅

...之类的源自硅烷的材料，以及其它用来制造半导体的含二氧化硅的涂料。不幸的是，以高去除速率去除含二氧化硅材料的浆液也容易去除下面的掩模、覆盖材料，例如碳氮化硅(SiCN)、氮化硅(SiN)和碳化硅(SiC)。对这些下垫层不受控制的去除会对集成电路的最终性能造成不利影响。