?反应离子刻蚀

...。由于湿法酸刻蚀的各向同性效应，亚表面层的划痕和坑洞等结构性缺陷会在几何尺度上被不断复制和延展，导致元件表面粗糙度增加，面形劣化。反应离子刻蚀(RIE)是一种物理轰击和化学刻蚀相结合的刻蚀过程，通过氟碳气体放电产生活性基团，与熔石英材料表面相互作用，各向异性地去除材料表面...

?活性离子腐蚀

对GaN的干法腐蚀研究方法包括 活性离子腐蚀（RIE）、电子回旋共振（ECR）等离子 体腐蚀、化学辐射离子束腐蚀（CAIBE）、磁控活性 离子腐蚀（MIE）等，目前使用最多的是电磁感应耦...

?技术

去掉波导周围的所有材料，剩下底层上延伸出的波导脊，或者使用诸如活性离子蚀刻技术（RIE）在周围的核心时刻出波导脊。

?反应离子蚀刻

反应离子蚀刻（RIE）是一种 干式蚀刻技术，它利用反应器内的 等离子气体混合物和物理及化学工 艺来精确地去除材料。