单一事件倦怠
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?单粒子烧毁
仿真研究变掺杂缓冲层技术对HOSFET抗SEB能力的改善 本文在分析了单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素...
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