?栅极电荷

必需要根据MOSFET生产商提供的 栅极电荷 （ QG ）指标计算。看看。

?电荷

...10mA（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:4.5V，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V@56μA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）:3.1nC@10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:77pF@25V Vgs（最大值）:±20V FET功能:- 功率耗散（最大值）:360m...

?栅电荷

胡凤平以MOSFET为例解释道，MOSFET为多子导电的电压控制型器件，耐压值、导通电阻(Rdson)及栅电荷(Qg)是其重要的性能指标，然而鱼和熊掌不可兼得，仍需按照应用的不同而有所侧重。