?相变存储器

...的制作工艺接近极限,可扩展性越来越差,它已经无法满足当前市场对于高性能、大容量的存储器需求。相变存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种新型存储器,它具有非易失性、高集成度、低静态能耗、字节寻址等优点,因而备受关注。

?相变内存

相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS...

?相变化内存

从技术来看，相变化内存（Phase Change Memory）是拥有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗辐射等多项优点之非挥发内存，采用相变化薄膜作为相变化内存之核心，具有与传...

?相变化存储器

度较DRAM快逾千倍 在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM...