?等离子体增强化学气相沉积

沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是将低压气体放电形成的等离子体应用于化学气相沉积的一项具有发展前途的新技术。

?化学气相沉积

...运动到基材表面并凝固沉积形成 DLC薄膜，利用这一技术，很容易获得DLC薄膜和掺杂的DLC薄膜；等离子体增强 化学气相沉积（PECVD）是利用辉光放电技术，能够使得碳氢气体在外界电磁场的激 励下实现电离形成cnHm+离子，同时cnHm+离子在负偏压的作用下高速轰击基材...

?等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Vapor Deposition)

...境与工程》2013年02期 功能材料 等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响 1引言等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备现代功能薄膜材料的重要工艺技术,已经广泛应用于制备大面积微电子器件,光电转换以及光电子显示器件等领域的功能薄膜。

?沉积设备

...，金属刻蚀设备，电介质刻蚀设备，三维集成电路刻蚀设备，MEMS刻蚀设备，深硅刻蚀设备，晶圆清洗设备，薄膜沉积设备（包括PECVD、HDPCVD、MCVD、ECD、PVD设备），针对薄膜沉积后处理的UVTP设备，光致抗蚀设备、晶圆清洗设备（包括湿式洗涤设备，旋转处理器，净...