英语词汇oxide-nitride-oxide怎么读，是什么意思，单词翻译、读音、固定搭配用法和短语词组及例句-英汉双解词典

网络释义

1
?氮化物
制造限制性电荷存储器的方法布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物-氮化物-氧化物层(oxide-nitride-oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极
2
?氧化物
浮栅与控制栅之间通常采用氧化物-氮化物-氧化物(Oxide-Nitride-Oxide)绝缘薄膜隔离、浮栅与硅衬底之间通常采用氧化物(Oxide)绝缘薄膜隔离，浮栅本身通常是N型或者P型掺杂的多晶硅，可用来存储电荷从而...
3
?氧化物层
制造限制性电荷存储器的方法布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物-氮化物-氧化物层(oxide-nitride-oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极

短语

1
ONO Oxide Nitride Oxide
氧化层
2
Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon
微米硅氧化氮氧化硅
3
Metal Oxide Nitride Oxide Silicon
金属氧氮氧化硅

双语例句

1
Both of the right and left charge storage regions having a thin oxide layer on the semiconductor substrate, a nitride layer on the thin oxide layer and an insulating oxide layer on the nitride layer.
左和右电荷存储区都具有半导体衬底上的薄氧化物层、薄氧化物层上的氮化物层和氮化物层上的绝缘氧化物层。
2
Scaling the programming voltage, while still maintaining 10 year data retention time, has been always a big challenge for Polysilicon Oxide Nitride Oxide Silicon (SONOS) researchers.
降低编程电压，同时仍保持十年的数据记忆时间，一直是多晶硅氮化硅氧化硅硅（SONOS）研究人员面临的一个巨大挑战。

单词	oxide-nitride-oxide
释义	oxide-nitride-oxide 网络释义 1 ?氮化物制造限制性电荷存储器的方法布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物-氮化物-氧化物层(oxide-nitride-oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极 2 ?氧化物浮栅与控制栅之间通常采用氧化物-氮化物-氧化物(Oxide-Nitride-Oxide)绝缘薄膜隔离、浮栅与硅衬底之间通常采用氧化物(Oxide)绝缘薄膜隔离，浮栅本身通常是N型或者P型掺杂的多晶硅，可用来存储电荷从而... 3 ?氧化物层制造限制性电荷存储器的方法布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物-氮化物-氧化物层(oxide-nitride-oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极短语 1 ONO Oxide Nitride Oxide 氧化层 2 Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon 微米硅氧化氮氧化硅 3 Metal Oxide Nitride Oxide Silicon 金属氧氮氧化硅双语例句 1 Both of the right and left charge storage regions having a thin oxide layer on the semiconductor substrate, a nitride layer on the thin oxide layer and an insulating oxide layer on the nitride layer. 左和右电荷存储区都具有半导体衬底上的薄氧化物层、薄氧化物层上的氮化物层和氮化物层上的绝缘氧化物层。 2 Scaling the programming voltage, while still maintaining 10 year data retention time, has been always a big challenge for Polysilicon Oxide Nitride Oxide Silicon (SONOS) researchers. 降低编程电压，同时仍保持十年的数据记忆时间，一直是多晶硅氮化硅氧化硅硅（SONOS）研究人员面临的一个巨大挑战。
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