?溅射沉积

...向与基底法线方向一致而使具有高原子迁移速率的αW 快速侧向生长成多晶膜,图 6所示为 W源垂直溅射沉积(NISD)和倾斜溅射沉积(OASD)的生长示意图。研究表明:在溅射初期,Si 基片表面同时形成αW纳米岛和βW纳米岛。