?可编程金属化单元

...性内存研讨会(Non Volatile Memory Conference)上，Adesto表示其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell，PMC)技术为基础，采用130奈米制程。

?是以可编程金属化单元

...工程世界网 (Non Volatile Memory Conference)上，Adesto表示其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell，PMC)技术为基础，采用130奈米制程。