| 释义 |
1 ?赝高电子迁移率晶体管 文摘： 介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。 2 ?晶体管 ...EffectTransistor，MESFET)、假晶高电子迁移率晶体管(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor，pHEMT)、异质结双极晶体管(HeterostructureBipolarTransistor，HBT)等三类... 3 ?赝配高电子迁移率晶体管 赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)是一种性能十分优异的低噪声放大器件,具有很低的本底噪声和非常高的载流子迁移率,这使得pHEMT器件在高频高增益的应用场合具有不可...
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The principles, design method and process of PHEMT frequency doubler are presented particularly. 其中重点论述了有源倍频器的工作原理、设计方法以及详细的设计过程。 - 2
Firstly, with the I-V curve and s parameters of the PHEMT, it's nonlinear equivalent circuit is fitted. 首先利用厂家提供的PHEMT直流i - V特性曲线及小信号s参数得出了其非线性等效电路模型。 - 3
These results indicate that the EEHEMT1 model can be used for extracting the component parameters of an enhancement-mode PHEMT. 结果表明EEHEMT 1模型可以用于提取增强型PHEMT参数，并且具有可操作性。
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