?金属有机物化学气相沉积
...金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)是制备混合半导体器件、金属及金属氧化物、金属氮化物薄膜材料的一种技术。
?主要以有机金属气相磊晶成长法
, Ltd ,VPEC)1996年11月成立于桃园,主要以有机金属气相磊晶成长法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MO..
?扩充有机金属化学气相磊晶
品世界 因韩国、台湾与大陆等地区LED厂自2009年以来陆续扩充有机金属化学气相磊晶(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)设备产能,带动全球蓝宝石晶棒需求增加,然2009年全球蓝宝石晶棒厂扩产趋于保守,致使2010年全球蓝宝石晶棒供货不足,以2吋...
有机金属化学气相沉积 ; 相沉积 ; 金属化学气相沉积 ; 化学气相沉积
等离子体金属有机物化学汽相淀积
常压金属化学气相沉积法
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