?分子束外延
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)是一种物理沉积单晶薄膜的方法,能够精确控制外延薄膜的厚度、成分,实现亚单原子层精度的生长。
?分子束磊晶
一、分子束磊晶技术 分子束磊晶(molecular beam epitaxy,MBE)是一种高精度之单晶薄膜成长技术, 因其提供此等结构所需的准确厚度、掺杂浓度控制等优点,目前已成为高精...
?晶成长
一三六族化合物半导体研究在中山大学材料所过去几年来持续的进行,我们 以自制的分子束磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy)系统制备CuInSe 2 与CuGaSe 2 薄膜而在其制程技术以及特性的量测分析上累积了可观的成果。
?分子束磊晶法
上述缓冲层11可以使用有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束磊晶法(molecular beam epitaxy,MBE法)或卤化物化学气相磊晶法(HVPE),在400~1100℃的温度下形成。本实施例中,上述缓冲层11使用MOCVD法形成。
激光分子束外延 ; 用激光分子束外延
有机分子束外延
硅分子束外延
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