?最低有效位(Last Significant Bit)
...多电平单元编程到分别与多个目标编程状态相对应的第一多个中间编程状态,可以将所述第一多个中间编程状态中的每一个分成多个部分,并且可以根据所述多个部分将多电平单元的阈值电压增加不同的电压电平,由此将多电平单元编程到分别比第一多个中间编程状态窄的第二多个中间编程状态。根据至少一个示例实施例,一种对非易失性存储器件的多个多电平单元中的多比特数据进行编程的方法可以包括:对多电平单元中的多比特数据的最低有效位(LSB)进行编程;以及,对于多个多电平单元中的每一个,使用多个目标电压电平当中与该多电平单元相对应的目标电压电平的验证电压,验证...