?调制掺杂场效应晶体管
栅极电容Cgin调制掺杂场效应晶体管(MODFET)是小和大信号理解为设备的操作在直流和高频率的应用,以及最重要的参数之一。
?调制掺杂场效应管
【正文快照】: 1 引言高电子迁移率晶体管(HEMT)或调制掺杂场效应管(MODFET)是一种非常重要的微波器件,它们具有速度快、噪音低等特性,研究表明,在液氮温度下器件本征响应时间在皮秒级,这与液氦温度下的约瑟...
?或调制掺杂FET
该缓冲技术形成通常用于高电子迁移率晶体管(HEMT)(也称为异质结构FET(HFET)或调制掺杂FET(MODFET)器件)的大多数硅基氮化镓技术的基础,该高电子迁移率晶体管是场效应晶体管,其结合了作为沟道的在具有不同带隙的两种材料之间的结...
?调制杂场效应管
...载子电晶体(Hetero-junction Bipolar Transistor,HBT) 调制杂场效应管(Modulation Doped Field Effect Transistor,MODFET) 场效应管体积小、重量轻、耗电省、寿命长,并具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造..
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