?横向扩散金属氧化物半导体

硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）是大功率射频设计运用的主导技术。十年前，行业采用50V的漏极电压，以达到每个晶体管1kW的输出功率。

?晶体管

名称：RF功率晶体管(LDMOS)：基站：0.8-1.0GHz晶体管

?横向扩散MOS

由于越来越多的关注， 横向扩散MOS （ LDMOS ）晶体管为电力电子技术在高能量物理（HEP）实验的一部分，总电离剂量（TID）的效果已被实验测量他们的电气性能。

?半导体

该公司采用HV7工艺的第七代硅RF外侧分散金属氧化物半导体(LDMOS)，在3.8GHz鸿沟内具有知足WiMAX基础设施的输入功率和线性机能。