?掺钨氧化铟

OLED用三氧化钨缓冲层的研究 采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟（IWO）作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.

?国际葡萄与葡萄酒局

...会（IDF）国际棉花咨询委员会（ICAC）、食品法典委员会（CAC）、国际电气设备合格认证委员会（CEE）、国际葡萄与葡萄酒局（IWO）等颁布的标准。