?绝缘栅双极晶体管

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为主流的新型电力电子器件之一，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场...

?绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)

...压，该反方向的高压可以在功率半导体器件断开或在开关断开时被施加到功率半导体器件的两端以具有高击穿电压特性。当满足电和物理条件的各种功率半导体器件被封装在一个模块中时，包括在经封装的模块中的半导体器件的数量和其电气规格可以基于系统状况而改变。通常，三相功率半导体模块用于产生驱动电动机的洛伦兹力。具体地，三相功率半导体模块调节施加到电动机的电流和功率以确定电动机的驱动状态。虽然传统的硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)和硅二极管已经被包括在并用于三相半导体模块中，但该三相半导体模块通常包括碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和...

?晶体管

...。因其在低压时，具有较低的通态压降和较高的开关频率，但随MOSFET电压的升高，其通态电阻增大。因此，在大容量、高压PVS中，一般使用绝缘栅晶体管（IGBT）作为功率器件；在100kVA以上特大容量的PVS中，一般采用门极可关断晶闸管（GTO）作为功率器件。

?功率器件

有触点方式稳压器在使用中会产生触点电火花，引发干扰;无触点方式是采用半导体功率器件(IGBT元件、晶闸管模块)作为主动功率器件与无触点电子开关，进行电路补偿和切换，避免了触点干扰。 3.