整数量子霍尔效应
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?整数量子霍尔效应
整数量子霍尔效应（integer quantum Hall effect） 二维电子气系统在强磁和低温条件下的霍尔效应表现出明显的量子化性质。
?子霍尔效应
von Klitzing在MOSFET发现二维导电载体的整數量 子霍尔效应(Integer Quantum Hall Effect, IQHE) 1998年諾贝尔物理奖：发现異质接面(HEMT, high mobility transistor...
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