?背栅

通过控制有机晶体管的背栅(back gate)，可补偿性能的降低并提高工作速度和可靠性。该存储器配合离子导电的聚合式制动器可用于平板显示器。

?背闸极

相较于习用之感测电路， 本创作于记忆单元为低电位Vss (即储存邏辑0 之资料)时， 可藉背闸极(back gate)呈顺 向偏压之第一NMOS电晶体MN1 的作用， 以加快内部节点A 之放电速度； 而当记忆单元在浮接(fl oati ng)电位(即储 存邏辑1 之资...

?后门

... walk through a gate穿过大门 back gate后门 front gate前门 ...